トランセンドの産業用ストレージソリューションは、メモリセルを96層スタックした前世代の3D NANDフラッシュよりも優れたパフォーマンスが提供できる112層の3D NANDフラッシュを活用しています。
高密度ストレージ
112層の3D NANDフラッシュは、より高いストレージ密度を可能にします。メモリセルのスタック数が96層から112層に増えたことで、ウエハーあたりのストレージ密度は前世代から50%向上し、ダイあたりの記憶容量は1Tbに達し、BiCS4の512Gbと比較して2倍になります。ストレージ密度が高くなれば、ビットあたりの単価が低くなるので、より大きな容量を競争力のあるコストで利用できます。
NANDの種類 |
112層 3D TLC |
96層 3D TLC |
64層 3D TLC |
ビット/セル |
3 |
3 |
3 |
記憶容量/ダイ |
★★★★ |
★★★ |
★★★ |
パフォーマンス |
★★ |
★ |
★ |
耐久性(P/Eサイクル) |
3K |
3K |
1K |
信頼性(データリテンション) |
★★ |
★★ |
★ |
消費電力 |
中 |
中 |
中 |
コスト/Gb |
$ |
$$ |
$$$ |
特色 |
パフォーマンスが重視されるインダストリアル機器で利用 |
SSDや多くのインダストリアル機器で利用 |
コンシューマ製品で多く利用 |
*注記: P/EサイクルはNANDフラッシュの種類、試験環境、プロセスノードによって異なります。
高速パフォーマンス
大容量化だけでなく、112層の3D NANDフラッシュは前世代よりも処理能力が50%優れており、より高速なI/Oパフォーマンスを提供します。PCIe Gen 4x4 SSDに112層のNANDフラッシュを採用すると、これまで以上のパフォーマンスが期待できるので、高速化と低遅延が求められる5G、自動車、AIoT、クラウドコンピューティングアプリケーションに最適です。
付加価値を高める技術
トランセンドは、信頼性を強化するために、112層の3D NANDフラッシュに培ってきた技術を加えることで、製品寿命を延ばし、パフォーマンスを最適化しています。更に、温度拡張、SLCキャッシュ、RAIDエンジン、LDPC ECCなどを利用することでデータの整合性を高め、データアクセス量の多いアプリケーションでより長く使用できます。