112層3D NANDフラッシュ

トランセンドの産業用ストレージソリューションは、より優れたパフォーマンスを提供する最先端の第5世代3D NANDテクノロジーのBiCS5を活用します。前世代の96層とは異なり、メモリセルを112層までスタックできます。

高密度ストレージ

112層の3D NANDフラッシュは、より高いストレージ密度を可能にします。メモリセルのスタック数が96層から112層に増えたことで、ウエハーあたりのストレージ密度は前世代から50%向上し、ダイあたりの記憶容量は1Tbに達し、BiCS4の512Gbと比較して2倍になります。ストレージ密度が高くなれば、ビットあたりの単価が低くなるので、より大きな容量を競争力のあるコストで利用できます。


NANDの種類 112層
3D TLC
96層
3D TLC
64層
3D TLC
ビット/セル 3 3 3
記憶容量/ダイ ★★★★ ★★★ ★★★
パフォーマンス ★★
耐久性(P/Eサイクル) 3K 3K 1K
信頼性(データリテンション) ★★ ★★
消費電力
コスト/Gb $ $$ $$$
特色 パフォーマンスが重視されるインダストリアル機器で利用 SSDや多くのインダストリアル機器で利用 コンシューマ製品で多く利用

*注記: P/EサイクルはNANDフラッシュの種類、試験環境、プロセスノードによって異なります。

高速パフォーマンス

大容量化だけでなく、BiCS5テクノロジーは前世代よりも処理能力が50%優れており、より高速なI/Oパフォーマンスを提供します。PCIe Gen 4x4 SSDに112層のNANDフラッシュを採用すると、これまで以上のパフォーマンスが期待できるので、高速化と低遅延が求められる5G、自動車、AIoT、クラウドコンピューティングアプリケーションに最適です。

付加価値を高める技術

トランセンドは、信頼性を強化するために、112層の3D NANDフラッシュに培ってきた技術を加えることで、製品寿命を延ばし、パフォーマンスを最適化しています。更に、温度拡張、SLCキャッシュ、RAIDエンジン、LDPC ECCなどを利用することでデータの整合性を高め、データアクセス量の多いアプリケーションでより長く使用できます。

製品一例

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