PCIe M.2 SSDs

MTE652T

トランセンドのMTE652TはPCI Express (PCIe) Gen 3 x4インターフェースを採用し、NVM Express (NVMe) 1.3に準拠したM.2 SSDです。96層の3D NANDフラッシュを採用したことで、64層のものよりもストレージ効率が優れています。DRAMキャッシュによる高速アクセスと3K P/Eサイクルの耐久性を提供します。


Features

  • DRAM Cache embedded
  • Endurance: 3K P/E cycles (Program/Erase cycles) guaranteed
  • PCIe Gen 3 x4 interface
  • Compliant with PCI Express specification 3.1
  • Compliant with NVM Express specification 1.3
  • Supports NVM command
  • SLC caching technology
  • Built-in LDPC ECC (Error Correction Code) functionality
  • Dynamic thermal throttling
  • Compliant with RoHS 2.0 standards
  • Supports Transcend SSD Scope Pro software

仕様

外観

サイズ80 mm x 22 mm x 3.58 mm (3.15" x 0.87" x 0.14")
重量9 g (0.32 oz)
フォームファクタ
  • M.2
M.2規格
  • 2280-D2-M

インターフェース

バスインターフェース
  • NVMe PCIe Gen3 x4

ストレージ

フラッシュ種類
  • 3D TLC NANDフラッシュ
容量
  • 128 GB
  • 256 GB
  • 512 GB

動作環境

動作電圧
  • 3.3V±5%
動作環境温度
  • 標準
    0°C (32°F) ~ 70°C (158°F)
  • 温拡
    -°C (°F) ~ °C (°F)
保管温度-40°C (-40°F) ~ 85°C (185°F)
湿度5% ~ 95%
耐衝撃
  • 1500 G、0.5 ms、3軸
耐振動(動作時)3 G (最大振幅), 5 Hz ~ 800 Hz (周波数)
耐振動(非動作時)5 G (最大振幅), 5 Hz ~ 800 Hz (周波数)

電源

消費電力(動作時)3.2 ワット
消費電力(スリープ時)0.6 ワット

データ転送スピード

シーケンシャルリード/ライト(CrystalDiskMark, 最大値)読出し: 1,700 MB/s
書込み: 1,250 MB/s
4Kランダムリード/ライト(IOmeter, 最大値)読出し: 190,000 IOPS
書込み: 290,000 IOPS
MTBF [平均故障間隔]2,000,000 時間
TBW [総書込み容量] (最大値)1,080 TB
DWPD [1日あたりのドライブ書込み数]2 (3 年)
注記
  • 転送速度はホストのハードウェア、ソフトウェア、使用方法、ストレージ容量等によって異なる場合があります。
  • DWPDの算出に使用される条件は実際の使用環境とは異なる場合があり、ホストのハードウェア、ソフトウェア、使用状況、ストレージ容量によって異なることがあります。

保証

認証
  • CE
  • FCC
  • BSMI
保証
  • 3年保証
保証規定
  • 保証規定についてはこちらでご確認ください。
  • トランセンドのSSD Scopeソフトウェアにて寿命インジケータが0%となっている場合は保証の対象外となります。
  • メモリ製品を使用するインダストリアルアプリケーションは多岐に渡り、使用条件や環境も様々であるため、トランセンドは全ての機器との互換性や安定動作を保証することができません。特定の仕様に関して不明なことがあれば事前にお問い合わせいただくことをお勧めいたします。
  • SSD Scope Proソフトウェアの詳細についてはお問い合わせください。

製品情報

128GB
  • TS128GMTE652T
256GB
  • TS256GMTE652T
512GB
  • TS512GMTE652T